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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IHW40N60T +BOM

TO-247AD, GREEN, PLASTIC

Hersteller:

infineon
Herstellerteil #:

IHW40N60T
Datenblatt:

IHW40N60T Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IHW40N60T

Hauptmerkmale

Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175 °C
Short circuit withstand time – 5µs
TrenchStop® and Fieldstop technology for 600 V applications
offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Qualified according to JEDEC1 for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	40 A
Pd - Power Dissipation	303 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current Ic Max	80 A
Height	20.9 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Unit Weight	1.340411 oz

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