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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPA60R199CP +BOM

MOSFET N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPA60R199CP
Datenblatt:

IPA60R199CP Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPA60R199CP

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPA60R199CP Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 16A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31

Hauptmerkmale

Lowest figure-of-merit RONxQg
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
CoolMOS CP is specially designed for:
Hard switching SMPS topologies

Spezifikationen

Source Content uid	IPA60R199CP	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Not Recommended	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	436 mJ	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	600 V
Drain Current-Max (ID)	16 A	Drain-source On Resistance-Max	0.199 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	34 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	51 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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