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Siehe Technische Spezifikationen

IPB065N15N3G +BOM

65N15N3 G, Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R" without using quotation marks:

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPB065N15N3G
Datenblatt:

IPB065N15N3G Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

520.0 A
Ptot Max:

300.0 W
VDS Max:

150.0 V
Polarity:

N
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IPB065N15N3G Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 150V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7

Spezifikationen

IDpuls max	520.0 A	Ptot max	300.0 W
VDS max	150.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	6.5 mΩ	ID max	130.0 A
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	2.0 V
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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