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Siehe Technische Spezifikationen

IRF350 +BOM

400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A IRF350 with Hermetic PackagingBenefits

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

IRF350
Datenblatt:

IRF350 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

14A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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IRF350 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN

Hauptmerkmale

Repetitive Avalanche Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Hermetically Sealed
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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