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Siehe Technische Spezifikationen

IRF530NS +BOM

This product is an N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET with a power rating of 17A and a voltage rating of 100V

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRF530NS
Datenblatt:

IRF530NS Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

AVALANCHE RATED
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF530NS

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IRF530NS Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK

Hauptmerkmale

AVALANCHE RATED

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)	93 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	17 A	Drain-source On Resistance-Max	0.09 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e0	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	225	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	60 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..