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Siehe Technische Spezifikationen

IRF840S +BOM

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

IRF840S
Datenblatt:

IRF840S Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

4
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelle:

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IRF840S Allgemeine Beschreibung

N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Hauptmerkmale

Pulse duration modulation
Fully protected against in-rush currents
Low forward voltage drop
Operating temperatures -40°C to 125°C
AEC-Q101 qualified and AEC-Q200 compliant
Europan Conformity (CE) marked component

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	4
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	500 V	Drain Current-Max (ID)	8 A
Drain-source On Resistance-Max	0.85 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-263AB	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	125 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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