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Siehe Technische Spezifikationen

IRFB20N50KPBF +BOM

Product details for IRFB20N50KPBF

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

IRFB20N50KPBF
Datenblatt:

IRFB20N50KPBF Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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IRFB20N50KPBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hauptmerkmale

Low output capacitance and reduced electromagnetic interference
Robust operation against electrical surges and spikes
Suitable for industrial control systems and motor drives

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V	Id - Continuous Drain Current	20 A
Rds On - Drain-Source Resistance	250 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	110 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	280 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IRFB	Configuration	Single
Fall Time	33 ns	Forward Transconductance - Min	11 S
Height	15.49 mm	Length	10.41 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	74 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	45 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns	Width	4.7 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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