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Siehe Technische Spezifikationen

IRFIB7N50A +BOM

Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, FULLPAK-3

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

IRFIB7N50A
Datenblatt:

IRFIB7N50A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

275 mJ
EDA/CAD Modelle:

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IRFIB7N50A Allgemeine Beschreibung

N-Channel 500 V 6.6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

Hauptmerkmale

Low input capacitance for improved switching performance
Avalanche and dynamic dV/dt ruggedness ensured
Fully specified electrical parameters

Anwendung

Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	275 mJ	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	500 V
Drain Current-Max (ID)	6.6 A	Drain-source On Resistance-Max	0.52 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	44 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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