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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFP150NPBF +BOM

The IRFPPBF MOSFET offers low on-resistance at mOh

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IRFP150NPBF
Datenblatt:

IRFP150NPBF Datenblatt (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelle:

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IRFP150NPBF Allgemeine Beschreibung

The IRFP150NPBF is a high-performance power MOSFET transistor that is specifically designed for demanding high-power applications in electronic circuits. With a N-channel design and a voltage rating of 100V, this transistor is capable of handling current up to 42A, making it ideal for use in industrial and automotive settings where reliable and efficient power management is crucial

Hauptmerkmale

Rapid response time
Low inductance and capacitance
Suitable for DC-DC conversion
Excellent temperature stability

Anwendung

High-performance devices
Efficient power delivery

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	HEXFET®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	160W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IRFP150	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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