Bezahlverfahren
IRG4BC20UDPBF +BOM
High-performance IGBT Transistor for various electronic applications
TO-220-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IRG4BC20UDPBF
-
Datenblatt:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
600 V
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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IRG4BC20UDPBF Allgemeine Beschreibung
The IRG4BC20UDPBF IGBT is a high-performance transistor designed for N Channel applications. With a continuous collector current of 13A and a collector emitter saturation voltage of 2.1V, this IGBT is capable of handling a power dissipation of 60W. The TO-220AB package ensures easy integration into electronic circuits, making it ideal for a variety of industrial and commercial applications. In addition, this IGBT is RoHS compliant, meeting the latest environmental standards for electronics manufacturing
Hauptmerkmale
- UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching,>200 kHz in resonant mode
- Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
- IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
- Industry standard TO-220AB package
- Lead-Free
- Benefits
- Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies available
- IGBTs optimized for specific application conditions
- HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
- Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Anwendung
- Lighting
- Alternative Energy
- Power Management
Spezifikationen
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.1 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 13 A |
Pd - Power Dissipation | 60 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Height | 8.77 mm | Length | 10.54 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | IGBTs | Width | 4.69 mm |
Part # Aliases | SP001549346 | Unit Weight | 0.211644 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | $1,395 | $1,40 |
10+ | $1,366 | $13,66 |
30+ | $1,347 | $40,41 |
100+ | $1,329 | $132,90 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.