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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRG4PH40UDPBF +BOM

parallel diode in a single package

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRG4PH40UDPBF
Datenblatt:

IRG4PH40UDPBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG4PH40UDPBF

IRG4PH40UDPBF Allgemeine Beschreibung

IGBT 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC

Hauptmerkmale

ULTRA FAST SOFT RECOVERY

Anwendung

POWER CONTROL

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.43 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	41 A
Pd - Power Dissipation	160 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current Ic Max	41 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	20.7 mm
Length	15.87 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	400	Subcategory	IGBTs
Width	5.31 mm	Unit Weight	1.340411 oz

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