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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRGP4063PBF +BOM

Tube packaging of N-Channel IGBT chip with 3 pins and tab

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRGP4063PBF
Datenblatt:

IRGP4063PBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRGP4063PBF

IRGP4063PBF Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AC

Hauptmerkmale

Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
Low switching losses
Maximum Junction temperature 175 °C
5 μS short circuit SOA
Square RBSOA
100% of the parts tested for ILM
Positive VCE (ON) Temperature co-efficient
Tight parameter distribution
Lead Free Package
Benefits
High Efficiency in a wide range of applications
Suitable for a wide range of switching frequencies due to
Low VCE (ON) and Low Switching losses
Rugged transient Performance for increased reliability
Excellent Current sharing in parallel operation
Low EMI

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	96 A
Pd - Power Dissipation	330 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Thyristor/Diode Module
Height	20.7 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	IGBTs	Width	5.31 mm
Unit Weight	1.340411 oz

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