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Siehe Technische Spezifikationen

IRG4BC30FDPBF +BOM

TO-220AB Packaged Insulated Gate Bipolar Transistor rated for 31A Collector Current and 600V Breakdown Voltage, N-Channel, Lead-Free

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRG4BC30FDPBF
Datenblatt:

IRG4BC30FDPBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG4BC30FDPBF

IRG4BC30FDPBF Allgemeine Beschreibung

The IRG4BC30FDPBF is a high-performance Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with an ultrafast soft recovery diode. This device is designed for applications where high efficiency and fast switching are critical, making it ideal for use in power supplies, motor control, and renewable energy systems. With a rated current of 31A and a breakdown voltage of 600V, the IRG4BC30FDPBF is capable of handling high power loads with ease. Its N-channel design and TO-220AB package make it easy to integrate into a variety of circuit designs, and its fast switching speed and low on-state voltage ensure minimal power loss during operation

Hauptmerkmale

Optimized for specific application conditions
Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Anwendung

HVAC
Consumer Electronics
Power Management

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.59 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	31 A
Pd - Power Dissipation	100 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current Ic Max	31 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	8.77 mm
Length	10.54 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	IGBTs
Width	4.69 mm	Unit Weight	0.211644 oz

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