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Siehe Technische Spezifikationen

IRG4PSH71UDPBF +BOM

The IRG4PSH71UDPBF by Infineon is an IGBT with a maximum current handling capacity of 99 A and a voltage rating of 1200 V

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRG4PSH71UDPBF
Datenblatt:

IRG4PSH71UDPBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG4PSH71UDPBF

IRG4PSH71UDPBF Allgemeine Beschreibung

IGBT 1200 V 99 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)

Hauptmerkmale

UltraFast switching speed optimized for operating
frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz
in resonant mode soft switching
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency
(minimum switching and conduction losses) than
prior generations
Industry-benchmark Super-247 package with
higher power handling capability compared to
same footprint TO-247
Creepage distance increased to 5.35mm
Lead-Free
Benefits
Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies
available
Maximum power density, twice the power
handling of the TO-247, less space than TO-264
IGBTs optimized for specific application conditions
Cost and space saving in designs that require
multiple, paralleled IGBTs
HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.52 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	99 A
Pd - Power Dissipation	350 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current Ic Max	99 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	20.3 mm
Length	15.6 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	IGBTs
Width	5 mm	Unit Weight	0.283532 oz

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