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Siehe Technische Spezifikationen

IRG4IBC30W +BOM

IRG4IBC30W: A high-performance Trans IGBT Chip designed for power applications

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IRG4IBC30W
Datenblatt:

IRG4IBC30W Datenblatt (PDF)
Packaging:

Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

600 V
Current - Collector (Ic) (Max):

17 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

92 A
EDA/CAD Modelle:

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IRG4IBC30W Allgemeine Beschreibung

The IRG4IBC30W is a top-of-the-line insulated gate bipolar transistor (IGBT) that has been engineered for superior performance in high power switching applications. With its high current and voltage handling capabilities, this IGBT is well-suited for use in a wide range of applications, including motor control, power supplies, and inverter systems. Its maximum drain-source voltage of 600V and maximum continuous collector current of 97A make it a reliable choice for demanding industrial environments

Hauptmerkmale

Fully compliant with industry standards
Precise voltage regulation for stable operation
High-frequency switching for advanced apps
Rapid thermal recovery for minimized downtime

Anwendung

Automotive systems
Telecommunication devices
Smart home technologies

Spezifikationen

Packaging	Tube	Part Status	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V	Current - Collector (Ic) (Max)	17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	92 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 12A
Power - Max	45 W	Switching Energy	130µJ (on), 130µJ (off)
Input Type	Standard	Gate Charge	51 nC
Td (on/off) @ 25°C	25ns/99ns	Test Condition	480V, 12A, 23Ohm, 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IRG4IBC

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