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Siehe Technische Spezifikationen

IRG4PC30KD +BOM

IGBT IRG4PC30KD 28A TO247

Hersteller:

Infineon Technologies Ag
Herstellerteil #:

IRG4PC30KD
Datenblatt:

IRG4PC30KD Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
Channel Type:

N
EDA/CAD Modelle:

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IRG4PC30KD Allgemeine Beschreibung

The IRG4PC30KD is a top-notch Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) semiconductor device that stands out in the realm of high power switching applications. Boasting a robust voltage rating of 600V and a current rating of 23A, this component is the go-to choice for a diverse array of industrial and commercial uses. Its rapid switching speed and minimal on-state voltage drop work in tandem to reduce power dissipation and enhance overall efficiency within high power circuits. Moreover, the presence of a built-in diode ensures that reverse polarity incidents are met with unmatched protection, bolstering the device's reliability and longevity

Hauptmerkmale

Excellent thermal stability
Fast rise and fall times
High current and voltage ratings
Low input capacitance
High frequency and ruggedness
Ultra low leakage current

Anwendung

For high power systems
Efficient energy usage
Reliable motor control

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
Channel Type	N	Configuration	Single
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±20	Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	600
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	2.88	Maximum Continuous Collector Current (A)	28
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	0.1	Maximum Power Dissipation (mW)	100
Minimum Operating Temperature (°C)	-55	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube	Mounting	Through Hole
PCB changed	3	Tab	Tab
Pin Count	3	Lead Shape	Through Hole

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