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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRG4PC50UDPBF +BOM

Ultra-fast IGBTs deliver rapid switching and low-loss performance

Hersteller:

International Rectifier
Herstellerteil #:

IRG4PC50UDPBF
Datenblatt:

IRG4PC50UDPBF Datenblatt (PDF)
:

- 55 C
Configuration:

55 A
Collector-Emitter-Voltage-VCEO-Max:

200 W
Collector-Emitter-Saturation-Voltage:

Tube
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG4PC50UDPBF

IRG4PC50UDPBF Allgemeine Beschreibung

The IRG4PC50UDPBF is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for high-performance applications. With a maximum current rating of 55A and a breakdown voltage of 600V, this N-channel transistor is suitable for a wide range of power electronic systems. The TO-247AC package ensures efficient heat dissipation, making it ideal for high-power designs

Hauptmerkmale

UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching,>200 kHz in resonant mode
Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
Industry standard TO-247AC package
Lead-Free
Features
UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching,>200 kHz in resonant mode
Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
Industry standard TO-247AC package

Spezifikationen

Product Category	IGBTs - Single	Product-Category	IGBT Transistors
	- 55 C	Configuration	55 A
Collector-Emitter-Voltage-VCEO-Max	200 W	Collector-Emitter-Saturation-Voltage	Tube
Maximum-Gate-Emitter-Voltage	1.340411 oz

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