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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRG4PF50WDPBF +BOM

N-Channel Technology

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRG4PF50WDPBF
Datenblatt:

IRG4PF50WDPBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

LOW CONDUCTION LOSS
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG4PF50WDPBF

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IRG4PF50WDPBF Allgemeine Beschreibung

The TO-247AC package of the IRG4PF50WDPBF enhances its thermal performance, allowing it to handle high power loads with ease. The device is also designed with a positive temperature coefficient to ensure ruggedness and reliability in demanding operating conditions. These features make it a top choice for applications where efficiency and durability are paramount

Hauptmerkmale

50% Reduction of Eoff parameter
Lower switching losses allow more effective operation in replacing large die MOSFET up to 100kHz

Anwendung

Power Management
Motor Drive & Control

Spezifikationen

Source Content uid	IRG4PF50WDPBF	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	LOW CONDUCTION LOSS	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	51 A	Collector-Emitter Voltage-Max	900 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Thr Voltage-Max	6 V
Gate-Emitter Voltage-Max	20 V	JEDEC-95 Code	TO-247AC
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	200 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	460 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	121 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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