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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRG7IC28UPBF +BOM

Reliable and durable IGBT transistor suitable for industrial automation applications

Hersteller:

infineon
Herstellerteil #:

IRG7IC28UPBF
Datenblatt:

IRG7IC28UPBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.95 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG7IC28UPBF

Hauptmerkmale

Advanced Trench IGBT Technology
Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications
Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSE™) for improved panel efficiency
High repetitive peak current capability
Lead Free package

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.95 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	25 A	Pd - Power Dissipation	40 W
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Unit Weight	0.211644 oz

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