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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRG7PSH50UDPBF +BOM

IRG7PSH50UDPBF IGBTs with 1.2kV voltage rating

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRG7PSH50UDPBF
Datenblatt:

IRG7PSH50UDPBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG7PSH50UDPBF

IRG7PSH50UDPBF Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench 1200 V 116 A 462 W Through Hole PG-TO274-3-903

Hauptmerkmale

Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
Low Switching Losses
Maximum Junction Temperature 175 °C
10 μS short Circuit SOA
Square RBSOA
100% of The Parts Tested for ILM
Positive VCE (ON) Temperature Coefficient
Tight Parameter Distribution
Lead Free Package
Benefits
High Efficiency in a Wide Range of Applications
Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to
Low VCE (ON) and Low Switching Losses
Rugged Transient Performance for Increased Reliability
Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	116 A
Pd - Power Dissipation	462 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current Ic Max	116 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 200 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	IGBTs
Part # Aliases	SP001532744

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