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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRG8P60N120KDPBF +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRG8P60N120KDPBF
Datenblatt:

IRG8P60N120KDPBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRG8P60N120KDPBF

IRG8P60N120KDPBF Allgemeine Beschreibung

IGBT 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC

Hauptmerkmale

Benchmark Low VCE(ON)
10μs Short Circuit SOA
Positive VCE(ON) Temperature Coefficient
Square RBSOA and high ILM- rating
Lead-Free, RoHS compliant
Benefits
High Efficiency in a Motor Drive Applications
ncreases margin for short circuit protection scheme
Excellent Current Sharing in Parallel Operation
Rugged Transient Performance
Environmentally friendly

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	100 A
Pd - Power Dissipation	420 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Gate-Emitter Leakage Current	400 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	IGBTs
Part # Aliases	SP001537660	Unit Weight	0.015027 oz

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