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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRGP4050PBF +BOM

High-Voltage IGBTs for Plasma Display Panel Use

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRGP4050PBF
Datenblatt:

IRGP4050PBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

250 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRGP4050PBF

IRGP4050PBF Allgemeine Beschreibung

IGBT 250 V 104 A 330 W Through Hole TO-247AC

Hauptmerkmale

Key parameters optimized for PDP sustain & Energy recovery applications
104A continuous collector current rating reduces component count
High pulse current rating makes it ideal for capacitive load circuits
Low temperature co-efficient of VCE (ON) ensures reduced power dissipation at operating junction temperatures
Reverse voltage avalanche rating improves the robustness in sustain driver application
Short fall & rise times for fast switching
Lead-Free

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	104 A
Pd - Power Dissipation	330 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Height	20.7 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	IGBTs	Width	5.31 mm
Part # Aliases	SP001537720	Unit Weight	1.340411 oz

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