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Siehe Technische Spezifikationen

IRL620 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

IRL620
Datenblatt:

IRL620 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IRL620 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hauptmerkmale

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Logic-level gate drive

RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V

Fast switching

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Additional Feature	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	200 V	Drain Current-Max (ID)	5.2 A
Drain-source On Resistance-Max	0.8 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	50 W	Power Dissipation-Max (Abs)	50 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Element Material	SILICON

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