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IRLML5203TR +BOM

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-3

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRLML5203TR
Datenblatt:

IRLML5203TR Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

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IRLML5203TR Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-3

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	3 A	Drain-source On Resistance-Max	0.098 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	1.25 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	24 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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