Bezahlverfahren
IXSK30N60BD1 +BOM
IGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
TO-3PL-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
IXSK30N60BD1
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Datenblatt:
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Technology:
Si
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Mounting Style:
Through Hole
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Configuration:
Single
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
600 V
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 5218 Stck
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IXSK30N60BD1 Allgemeine Beschreibung
IGBT 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-264AA (IXSK)
Spezifikationen
Product Category: | IGBT Transistors | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Configuration: | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Series: | IXSK30N60 | Packaging: | Tube |
Continuous Collector Current Ic Max: | 55 A | Height: | 26.16 mm |
Length: | 19.96 mm | Product Type: | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity: | 25 | Subcategory: | IGBTs |
Width: | 5.13 mm | Unit Weight: | 0.352740 oz |
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In Stock: 5.218
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