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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

JANSR2N7425 +BOM

QPLFeaturesPotential Applications

Hersteller:

infineon
Herstellerteil #:

JANSR2N7425
Datenblatt:

JANSR2N7425 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Discrete
ID Max:

-35.0 A
VF Max:

-3.3 V
Polarity:

P
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an JANSR2N7425

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JANSR2N7425 Allgemeine Beschreibung

Elevate your electronics projects with the JANSR2N7425 Power Field-Effect Transistor. Engineered for high-performance applications, this 1-Element P-Channel device is crafted from silicon with a metal-oxide semiconductor design. With a current rating of 35A and a voltage capability of 100V, the JANSR2N7425 offers reliable power management solutions. Its low on-resistance of 0.075ohm ensures minimal power loss, making it an ideal choice for demanding circuit designs. Encased in a TO-254AA hermetic sealed package, this FET delivers exceptional performance and longevity in harsh environments

Hauptmerkmale

Low RDS(on)
Fast Switching
Single Event Effect (SEE) Hardened
Low Total Gate Charge
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Ceramic Eyelets
Electrically Isolated
Light Weight

Spezifikationen

Configuration	Discrete	ID max	-35.0 A
VF max	-3.3 V	Polarity	P
Die Size	6	VBRDSS min	-100.0 V
QPL Part Number	2N7425	TID max	100.0 Krad(Si)
ESD Class	Class 3A	RDS (on) max	73.0 mΩ
Generation	R4	Optional TID Rating	100 300
Qualification	DLA	Language	SPICE
Product Category	Rad hard MOSFETs	Download Model	https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHM9160-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f0588b10d5

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