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JANSR2N7476T1 +BOM

Reliable and robust metal-oxide semiconductor FE

JANSR2N7476T1 Allgemeine Beschreibung

- The JANSR2N7476T1 Power Field-Effect Transistor is designed for high-performance applications requiring a maximum current rating of 45A and a voltage rating of 200V

Spezifikationen

Pbfree Code No Part Life Cycle Code Transferred
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 256 mJ Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (ID) 45 A Drain-source On Resistance-Max 0.044 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-254AA
JESD-30 Code S-PSFM-T3 JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 200 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
ID max 45.0 A VF max 1.2 V
Polarity N Die Size 6
VBRDSS min 200.0 V QPL Part Number 2N7476T1
TID max 100.0 Krad(Si) ESD Class Class 3B
SEE Yes RDS (on) max 44.0 mΩ
Generation R5 Optional TID Rating 100
Qualification DLA Language SPICE
Product Category Rad hard MOSFETs Download Model https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHMS57260SE-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f380ab10f6

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