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Siehe Technische Spezifikationen

JANTX2N6849 +BOM

JANTX2N6849: -100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in TO-205AF Package, Hermetically Sealed for Enhanced Reliability

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

JANTX2N6849
Datenblatt:

JANTX2N6849 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

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JANTX2N6849 Allgemeine Beschreibung

The TO-205AF package of the JANTX2N6849 provides a hermetic sealed environment, ensuring protection from external contaminants and enhancing the transistor's durability. With a TO-39 form factor and 3 pins for easy installation, this transistor is suitable for a wide range of applications, including power supply units, motor controls, and voltage regulation circuits

Hauptmerkmale

Repetitive Avalanche Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Hermetically Sealed
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	2	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)	92 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	6.5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.345 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-205AF	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	25 A
Qualification Status	Qualified	Reference Standard	MIL-19500/564
Surface Mount	NO	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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