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Siehe Technische Spezifikationen

MG12150S-BN2MM +BOM

IGBT Modules 1200V 150A Dual

Hersteller:

Littelfuse Inc
Herstellerteil #:

MG12150S-BN2MM
Datenblatt:

MG12150S-BN2MM Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

200 A

MG12150S-BN2MM Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount S3

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	200 A
Power - Max	625 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 150A (Typ)
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	10.5 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.7 V	Continuous Collector Current at 25 C:	200 A
Gate-Emitter Leakage Current:	400 nA	Pd - Power Dissipation:	625 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 125 C
Packaging:	Bulk	Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V
Mounting Style:	Chassis Mount	Product Type:	IGBT Modules
Series:	MG12150S	Factory Pack Quantity:	50
Subcategory:	IGBTs	Technology:	Si
Unit Weight:	5.643834 oz

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