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Siehe Technische Spezifikationen

MG17100S-BN4MM +BOM

IGBT Modules 1700V 100A IGBT

Hersteller:

Littelfuse Inc
Herstellerteil #:

MG17100S-BN4MM
Datenblatt:

MG17100S-BN4MM Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2 V

MG17100S-BN4MM Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 150 A 620 W Chassis Mount S3

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Half Bridge	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2 V	Continuous Collector Current at 25 C:	150 A
Gate-Emitter Leakage Current:	400 nA	Pd - Power Dissipation:	620 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 125 C
Packaging:	Bulk	Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V
Mounting Style:	Chassis Mount	Product Type:	IGBT Modules
Series:	MG17100S-BN4MM	Factory Pack Quantity:	50
Subcategory:	IGBTs	Technology:	Si
Unit Weight:	5.643834 oz

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