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Siehe Technische Spezifikationen

MMBT2222AQ-7-F +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

MMBT2222AQ-7-F
Datenblatt:

MMBT2222AQ-7-F Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMBT2222AQ-7-F

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MMBT2222AQ-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3

Hauptmerkmale

Epitaxial Planar Die Construction
Complementary PNP Type: MMBT2907A
Ideal for Low Power Amplification and Switching
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	36 Weeks	Additional Feature	HIGH RELIABILITY
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	40	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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