Bezahlverfahren
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Tube Packaged N-Channel MOSFET, 600V Voltage, 20A Current Rating, TO-220F Configuration
TO-220FHersteller:
Herstellerteil #:
MMF60R190PTH
Datenblatt:
ECCN (US):
EAR99
HTS:
8541.29.00.95
Configuration:
Single
Process Technology:
Super Junction
EDA/CAD Modelle:
All bill of materials (BOM) can be sent via email to
[email protected],
or fill below form to Quote for MMF60R190PTH, guaranteed quotes back within
12hr.
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen MMF60R190PTH-Treiber von MagnaChip Semiconductor an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.
Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung MMF60R190PTH.
Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.
ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 | Automotive | |
PPAP | Category | Power MOSFET | |
Configuration | Single | Process Technology | Super Junction |
Channel Mode | Enhancement | Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 | Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 20 | Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum IDSS (uA) | 1 | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 190@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 51@10V | Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 51 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1630@25V | Maximum Power Dissipation (mW) | 34000 |
Typical Fall Time (ns) | 47 | Typical Rise Time (ns) | 73 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 146 | Typical Turn-On Delay Time (ns) | 32 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tube | Mounting | Through Hole |
PCB changed | 3 | Tab | Tab |
Pin Count | 3 | Lead Shape | Through Hole |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
MDFS10N60D
MagnaChip Semiconductor
The MDFS10N60D is a N-channel MOSFET transistor rated for 600 volts and 10 amperes, packaged in a TO-220FS tube
MDU1516URH
Magnachip Semiconductor
8-Pin DFN EP Package Trans MOSFET for High-Power Applications
MDU1511RH
MagnaChip Semiconductor
Tape and Reel packaged N-Channel MOSFET with 30V voltage rating and 36.1A current capacity
MDF11N60BTH
MagnaChip Semiconductor
Sealed, never opened
MMD50R380PRH
MagnaChip Semiconductor
Product MMD50R380PRH: Power Field-Effect Transistor