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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MMBTA13LT1G +BOM

NPN Bipolar Darlington Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

MMBTA13LT1G
Datenblatt:

MMBTA13LT1G Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.5V @ 100µA, 100mA
EDA/CAD Modelle:

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MMBTA13LT1G Allgemeine Beschreibung

The MMBTA13LT1G is a high-quality NPN Bipolar Darlington Transistor perfect for a variety of switching applications. Whether you need to control a print hammer, relay, solenoid, or lamp driver, this transistor is up to the task

Hauptmerkmale

Compact Design Saves Space
Faster Switching Time for Higher Efficiency
Suitable for Wide Temperature Range Applications

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10000 @ 100mA, 5V
Power - Max	225 mW	Frequency - Transition	125MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	MMBTA13

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