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Siehe Technische Spezifikationen

MMG3H21NT1 +BOM

InGaP HBT GPA, 0-6000 MHz, 19.3 dB, 20.5 dBm

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MMG3H21NT1
Datenblatt:

MMG3H21NT1 Datenblatt (PDF)
Frequency:

0Hz ~ 6GHz
P1dB:

20.5dBm
Gain:

19.3dB
Noise Figure:

5.5dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMG3H21NT1

MMG3H21NT1 Allgemeine Beschreibung

The MMG3H21NT1 is a highly versatile and efficient InGaP HBT general purpose amplifier, designed to operate over a wide frequency range of 0-6000 MHz. With a gain of 19.3 dB, this amplifier is capable of delivering high performance in a variety of applications

Hauptmerkmale

InGaP HBT GPA, 0-6000 MHz, 19.3 dB, 20.5 dBm

Spezifikationen

Category	RF and WirelessRF Amplifiers	Series	-
Frequency	0Hz ~ 6GHz	P1dB	20.5dBm
Gain	19.3dB	Noise Figure	5.5dB
RF Type	-	Voltage - Supply	5V
Current - Supply	90mA	Test Frequency	900MHz
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	MMG3H21
Product Category	RF Amplifier	Mounting Style	SMD/SMT
Type	General Purpose Amplifiers	Technology	InGaP
Operating Frequency	0 Hz to 6 GHz	P1dB - Compression Point	20.5 dBm
Operating Supply Voltage	5 V	NF - Noise Figure	5.5 dB
OIP3 - Third Order Intercept	37 dBm	Operating Supply Current	90 mA
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Input Return Loss	20 dB	Number of Channels	1 Channel
Product Type	RF Amplifier	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Wireless & RF Integrated Circuits	Supply Voltage - Max	5.5 V
Supply Voltage - Min	4.5 V	Part # Aliases	935316511147
Unit Weight	0.001792 oz

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