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Siehe Technische Spezifikationen

MMZ25332BT1 +BOM

Top-quality RF amplifier capable of delivering high output power

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MMZ25332BT1
Datenblatt:

MMZ25332BT1 Datenblatt (PDF)
Series:

MMZ
Frequency:

2.45GHz
Power Gain:

32dB
Operating Voltage:

2.7V ~ 5.5V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMZ25332BT1

MMZ25332BT1 Allgemeine Beschreibung

RF Amplifier IC LTE, TDS-CDMA, W-CDMA 1.8GHz ~ 2.8GHz 12-QFN (3x3)

Hauptmerkmale

InGaP HBT Linear Amplifier, 1800-2800 MHz, 26.5 dB, 33 dBm

Anwendung

The MMZ25332BT1 is used for serial-to-parallel data conversion, data storage and shifting applications, LED and display driving, input data buffering and synchronization, communication interfaces and protocol conversions, as well as control and sequencing of digital devices.

Spezifikationen

Product Name	MMZ25332BT1	Product Type	RF Amplifier
Series	MMZ	Frequency	2.45GHz
Power Gain	32dB	Operating Voltage	2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C	Mounting Type	Surface Mount
Applications	Bluetooth, Zigbee, Wi-Fi

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Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

Bewertungen und Rezensionen

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G**t 02.16.2024

I am beyond pleased with Avaq's outstanding customer service. They assisted me promptly in my inquiry about the MMZ25332BT1 components. Kudos to their support team!

S**o 04.16.2023

Avaq never fails to deliver excellent electronic components, and the MMZ25332BT1 is no exception. I'm impressed with their quality and functionality. Well worth the investment!

C**n 01.05.2023

Thanks to the seller for the quality goods, the button works.

R**e 11.13.2022

Excellent customer service and prompt delivery from Avaq! The MMZ25332BT1 components arrived well-packaged and in top condition. Highly satisfied!