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Siehe Technische Spezifikationen

MMZ25332B4T1 +BOM

InGaP HBT Linear Amplifier, 1427-2700 MHz, 26.5 dB, 33 dBm

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MMZ25332B4T1
Datenblatt:

MMZ25332B4T1 Datenblatt (PDF)
Frequency (Min) (MHz):

1427
Frequency (Max) (MHz):

2700
Supply Voltage (Min-Max) (V):

3 to 5
Gain (Typ) (dB) @ F (MHz):

26.5 @ 2500
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMZ25332B4T1

MMZ25332B4T1 Allgemeine Beschreibung

The MMZ25332B4 is a versatile 2-stage power amplifier targeted at driver and pre-driver applications for macro and micro base stations and final stage applications for small cells. Its versatile design allows operation in any frequency band from 1427 to 2700 MHz providing gain of more than 26.5 dB. The device operates off a 5 V supply, and its bias currents and portions of the matching networks are adjustable for optimum performance in any specific application. It is housed in a QFN 4 x 4 surface mount package which allows for maximum via hole pattern. The MMZ25332B4 offers high reliability, ruggedness and ESD performance.

Hauptmerkmale

InGaP HBT LINEAR AMPLIFIER, 1500-2700 MHz, 26.5 dB, 33 dBm

Spezifikationen

Frequency (Min) (MHz)	1427	Frequency (Max) (MHz)	2700
Supply Voltage (Min-Max) (V)	3 to 5	Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)	26.5 @ 2500
P1dB (dBm)	33

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