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Siehe Technische Spezifikationen

MMZ38333BT1 +BOM

RF Amp Single Input/Triple Output Power Amp 3.8GHz 6V 24-Pin HVQFN EP T/R

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MMZ38333BT1
Datenblatt:

MMZ38333BT1 Datenblatt (PDF)
Frequency:

3.4GHz ~ 3.8GHz
P1dB:

31.7dBm
Gain:

37.9dB
Voltage - Supply:

5V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMZ38333BT1

MMZ38333BT1 Allgemeine Beschreibung

The MMZ38333B is a 3-stage high linearity InGaP HBT broadband amplifier designed for small cells and LTE base stations.It provides high linearity for LTE air interface with an ACPR of -48 dBc at an output power greater than 22.3dBm, covering frequencies from 3400 to 3800 MHz. It operates off a 5 V supply voltage. The amplifier is internallypre-matched with the flexibility to change external matching to suit the final application and offers state-of-the-artreliability, ruggedness, temperature stability and ESD performance.

Hauptmerkmale

InGaP HBT Linear Amplifier, 3400-3800 MHz, 37 dB, 32 dBm.

Spezifikationen

Category	RF and WirelessRF Amplifiers	Series	-
Frequency	3.4GHz ~ 3.8GHz	P1dB	31.7dBm
Gain	37.9dB	Noise Figure	-
Voltage - Supply	5V	Current - Supply	376mA
Test Frequency	3.6GHz	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	MMZ38333

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