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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MRF323 +BOM

RF Bipolar Transistors RF Transistor

Hersteller:

ASI Semiconductor, Inc
Herstellerteil #:

MRF323
Datenblatt:

MRF323 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Factory Pack Quantity:

10
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MRF323

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRF323 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 33V 2.2A 20W Chassis Mount 244-04, STYLE 1

Hauptmerkmale

Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V: Output Power = 20 W., Power Gain = 10 dB min, Efficiency = 50% min.
Gold Metallization System for High Reliability
100%Tested for Load Mismatch at all phase Angels with 30:1 VSWR •
Computer Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance
Aerospace and Defense
ISM

Anwendung

Min Frequency: 200 MHz
Max Frequency: 500 MHz
Pout: 20 W
Gain: 10 dB
Efficiency: 50 %
Bias Voltage: 28 V

Spezifikationen

Product Category:	RF Bipolar Transistors	Technology:	Si
Product Type:	RF Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	10
Subcategory:	Transistors

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