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Siehe Technische Spezifikationen

MRFE6VP6600NR3 +BOM

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MRFE6VP6600NR3
Datenblatt:

MRFE6VP6600NR3 Datenblatt (PDF)
Technology:

LDMOS
Configuration:

Dual
Frequency:

230MHz
Gain:

24.7dB

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRFE6VP6600NR3 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 100 mA 230MHz 24.7dB 600W OM-780-4L

Hauptmerkmale

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	LDMOS	Configuration	Dual
Frequency	230MHz	Gain	24.7dB
Voltage - Test	50 V	Current Rating (Amps)	-
Noise Figure	-	Current - Test	100 mA
Power - Output	600W	Voltage - Rated	133 V
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	MRFE6

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