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Siehe Technische Spezifikationen

MRF393 +BOM

RF Bipolar Transistors 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB

Hersteller:

MACOM Technology Solutions
Herstellerteil #:

MRF393
Datenblatt:

MRF393 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 NPN (Dual) Common Emitter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

30V
Gain:

8.5dB
Power - Max:

100W
EDA/CAD Modelle:

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MRF393 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor 2 NPN (Dual) Common Emitter 30V 16A 100W Chassis Mount 744A-01, Style 1

Hauptmerkmale

Specified 28 V, 500 MHz Characteristics: Output Power = 100 W, Typical Gain = 9.5 dB (Class AB); 8.5 dB (Class C), Efficiency = 55% (Typ.)
Gold Metallization System for High Reliability
Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics
Built–In Input Impedance Matching Networks for Broad Operatons
100% Test for Load Mismatch
Aerospace and Defense
ISM

MACOM Technology Solutions Originalbestand

Anwendung

Min Frequency: 30 MHz
Max Frequency: 500 MHz
Pout: 100 W
Gain: 9.5 dB
Efficiency: 55 %
Bias Voltage: 28 V

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	2 NPN (Dual) Common Emitter	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Frequency - Transition	-	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	8.5dB	Power - Max	100W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 1A, 5V	Current - Collector (Ic) (Max)	16A
Operating Temperature	200°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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