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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MRF372 +BOM

RF Power Field-Effect Transistor

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

MRF372
Datenblatt:

MRF372 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

SOURCE
Configuration:

SINGLE

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MRF372 Allgemeine Beschreibung

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	68 V
Drain Current-Max (ID)	17 A	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 Code	R-CDFM-F4
Number of Elements	1	Number of Terminals	4
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	200 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON

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