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Siehe Technische Spezifikationen

MRF553 +BOM

RF Bipolar Transistors RF Transistor

Hersteller:

ASI Semiconductor, Inc
Herstellerteil #:

MRF553
Datenblatt:

MRF553 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

16V
Frequency - Transition:

175MHz
Gain:

11.5dB
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MRF553 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 16V 500mA 175MHz 3W

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	16V
Frequency - Transition	175MHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	11.5dB	Power - Max	3W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 250mA, 5V	Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Operating Temperature	-	Product Category:	RF Bipolar Transistors
Transistor Type:	Bipolar	Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN	Operating Frequency:	175 MHz
DC Collector/Base Gain hfe Min:	30	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	16 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	4 V	Continuous Collector Current:	500 mA
Minimum Operating Temperature:	- 65 C	Maximum Operating Temperature:	+ 200 C
Mounting Style:	SMD/SMT	Packaging:	Tray
Pd - Power Dissipation:	3 W	Product Type:	RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity:	1	Subcategory:	Transistors
Type:	RF Bipolar Small Signal

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