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Siehe Technische Spezifikationen

MRFE6VP5300GNR1 +BOM

RF Mosfet 50 V 100 mA 1.8MHz ~ 600MHz 27dB 300W TO-270 WB-4 Gull

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MRFE6VP5300GNR1
Datenblatt:

MRFE6VP5300GNR1 Datenblatt (PDF)
F<sub>i(RF)</sub> [max] (MHz):

600
Number Of Pins:

4
Amp Class:

AB
Test Signal:

CW
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MRFE6VP5300GNR1

MRFE6VP5300GNR1 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 100 mA 1.8MHz ~ 600MHz 27dB 300W TO-270 WB-4 Gull

Hauptmerkmale

WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V

Spezifikationen

f<sub>i(RF)</sub> [max] (MHz)	600	Number of pins	4
Amp Class	AB	Test Signal	CW
Supply Voltage (Typ) (V)	50	Class	AB
Die Technology	LDMOS	Thermal Resistance (Spec) (℃/W)	0.22
P1dB (Typ) (dBm)	54.8	Security Status	COMPANY PUBLIC
Frequency (Min-Max) (MHz)	1.8,600	Efficiency (Typ) (%)	70
Peak Power (Typ) (W)	375	Frequency Band (Hz)	1800000,600000000
Description	WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V	f<sub>i(RF)</sub> [min] (MHz)	1.8
Output Power (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	300 @ CW	P1dB (Typ) (W)	300
Gain (Typ) (dB)	25	Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)	25 @ 230
Frequency (Max) (MHz)	600	Frequency (Min) (MHz)	1.8
Frequency (Min-Max) (GHz)	0.0018000001 to 0.6	f<sub>range</sub> [max] (MHz)	600
f<sub>range</sub> [min] (MHz)	1.8	Rth(j-a) (K/W)	0.22
Matching	unmatched	Modes of Operation	continuous wave
Product Category	RF MOSFET Transistors	Technology	Si
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	MRFE6VP5300N	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	LDMOS FET
Type	RF Power MOSFET	Part # Aliases	935320438528
Unit Weight	0.057666 oz

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