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Siehe Technische Spezifikationen

MWI75-12T8T +BOM

IGBT Modules 75 Amps 1200V

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

MWI75-12T8T
Datenblatt:

MWI75-12T8T Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench
Configuration:

Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

110 A
EDA/CAD Modelle:

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MWI75-12T8T Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Three Phase Inverter 1200 V 110 A 360 W Chassis Mount E3

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench	Configuration	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	110 A
Power - Max	360 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)	3 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	5.35 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	MWI75	Product Category:	IGBT Modules
Product:	IGBT Silicon Modules	Packaging:	Bulk
Mounting Style:	Screw Mount	Product Type:	IGBT Modules
Series:	MWI75	Factory Pack Quantity:	5
Subcategory:	IGBTs	Technology:	Si

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