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Siehe Technische Spezifikationen

PBSS4140DPN-QF +BOM

Bipolar Transistors - BJT PBSS4140DPN-Q/SOT457/SC-74

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PBSS4140DPN-QF
Datenblatt:

PBSS4140DPN-QF Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

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PBSS4140DPN-QF Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 1A 150MHz 370mW Surface Mount 6-TSOP

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Pd - Power Dissipation	370 mW	Gain Bandwidth Product fT	150 MHz
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Qualification	AEC-Q101	Continuous Collector Current	1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	300 at 1 mA, 5 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	934664707135

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