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Siehe Technische Spezifikationen

PBSS4140DPNF +BOM

NPN/PNP low V transistor pair in an SC-74 (SOT457) plastic package.

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PBSS4140DPNF
Datenblatt:

PBSS4140DPNF Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS4140DPNF

PBSS4140DPNF Allgemeine Beschreibung

NPN/PNP low V transistor pair in an SC-74 (SOT457) plastic package.

Hauptmerkmale

600 mW total power dissipation
Low collector-emitter saturation voltage
High current capability
Improved device reliability due to reduced heat generation
Replaces two SOT23 packaged low VCEsat transistors on same PCB area
Reduces required PCB area
Reduced pick and place costs.
AEC-Q101 qualified

Anwendung

General purpose switching and muting
LCD backlighting
Supply line switching circuits
Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	600 mW
Gain Bandwidth Product fT	150 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	934056660135
Unit Weight	0.000393 oz

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