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Siehe Technische Spezifikationen

PHE13005 +BOM

Advanced BJTs offering high current gain, low noise figure, and fast switching time

Hersteller:

WeEn Semiconductors
Herstellerteil #:

PHE13005
Datenblatt:

PHE13005 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
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PHE13005 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 75 W Through Hole TO-220AB

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	Collector- Base Voltage VCBO	700 V
Emitter- Base Voltage VEBO	9 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	4 A	Pd - Power Dissipation	75 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	4 A	Height	9.4 mm
Length	10.3 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.7 mm
Part # Aliases	PHE13005,127	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	4 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 1A, 4A	Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 2A, 5V	Power - Max	75 W
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	PHE13

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