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PH1214-300M +BOM

Robust Design for Industrial, Commercial, and Military Applicatio

PH1214-300M Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 90V 21A 583W Chassis Mount 2L-FLG

Spezifikationen

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 2 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Case Connection BASE
Configuration SINGLE Highest Frequency Band L BAND
JESD-30 Code R-CDFM-F2 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Temperature-Max 200 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 620 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER Transistor Element Material SILICON
Transistor Type NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 90V
Gain 8.75dB Power - Max 583W
Current - Collector (Ic) (Max) 21A Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount Base Product Number PH1214

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