Bezahlverfahren
PHE13007 +BOM
Transistors with bipolar junction
TO-220-3-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
PHE13007
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Datenblatt:
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Transistor Type:
NPN
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Current - Collector (Ic) (Max):
8 A
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
400 V
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
350mV @ 1A, 5A
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 5878 Stck
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PHE13007 Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 80 W Through Hole TO-220AB
Spezifikationen
Transistor Type | NPN | Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1A, 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V |
Power - Max | 80 W | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | PHE13 |
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