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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PHE13009 +BOM

Plastic TO-220AB

Hersteller:

WeEn Semiconductors
Herstellerteil #:

PHE13009
Datenblatt:

PHE13009 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
EDA/CAD Modelle:

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PHE13009 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	Collector- Base Voltage VCBO	700 V
Maximum DC Collector Current	12 A	Pd - Power Dissipation	80 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	12 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	8
DC Current Gain hFE Max	8	Height	9.4 mm
Length	10.3 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.7 mm
Part # Aliases	PHE13009,127	Unit Weight	0.211644 oz

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